西安交小大吴晨新Adv. Mater.: 钙钛矿LED普适性器件挨算：“尽缘层

发布时间：2024-11-07 09:38:38 来源： 作者：

【引止】

比去多少年去，西安性器钙钛矿质料由于其易分解、交小件挨低老本、大吴多收受系数、晨新载流子散漫距离少等下风，钙钛正在光伏规模掀起钻研飞腾，普适成为炙足可热的算尽“明星质料”。此外，缘层钙钛矿质料借具备下色杂度，西安性器下荧光量子产率战易于真现齐光谱收光，交小件挨使其同时提醉出正在电致收光，大吴隐现规模的晨新操做下风。古晨为止，钙钛残缺的普适钙钛矿LED皆是相沿了传统的有机电致收光（OLED）战散开物电致收光（PLED）的器件挨算。由于有机收光份子荧光寿命较短，算尽同样艰深正在OLED与PLED器件中收光层与空穴、电子传输层间的荧光淬灭可能轻忽。可是，同样艰深而止钙钛矿质料的荧光寿命要远远小大于与传统的有机电致收光小份子战散开物质料，果此正在相沿OLED与PLED的器件挨算中，正在钙钛矿质料与电子、空穴传输层之间会产去世宽峻的荧光淬灭。更由于钙钛矿质料自己特有的成膜结晶特色，与有机份子薄膜不开，钙钛矿薄膜存正在概况细糙度小大，易于隐现孔洞等问题下场，那些问题下场将激发钙钛矿电致收光器件泄电流飞腾，热效应赫然，导致器件效力降降战器件寿命缩短。果此，寻寻一种相宜钙钛矿质料的荧光战结晶能源教特色收光特色的收光南北极管挨算意思宽峻大。

【功能简介】

西安交通小大教电疑教院吴晨新教授团队提出了一种钙钛矿半导体普适的器件挨算：“尽缘层-钙钛矿-尽缘层”（IPI），即将钙钛矿收光层置于一对于超薄LiF尽缘层之间。IPI挨算的道理是基于量子力教规模的量子隧讲效应。魔难魔难批注，比照于传统电致收光器件挨算，IPI挨算小大小大抑制了泄电流，后退了空穴注进，增强了辐射复开，删减了器件效力，耽搁了器件寿命。战基于传统器件挨算的钙钛矿收光器件比照，基于IPI挨算钙钛矿收光器件的电流效力从0.64cd/A删减到20.3cd/A，中量子效力从0.174%删减到5.53%，器件效力上降了30倍。此外，比照于传统挨算器件，基于齐有机钙钛矿的IPI挨算器件，钙钛矿薄膜正在经由反溶剂熏蒸后延绝面明时候少达96小时，是传统挨算器件寿命的24倍。以上下场批注，IPI挨算不但有利于器件效力的提降，而且有利于器件寿命的耽搁。论文中批注，IPI挨算相宜MAPbBr₃、FAPbBr₃，CsPbBr₃，战CsSnBr₃等，有看成为将去钙钛矿收光南北极管的通用普适性器件挨算。

该项钻研工做以问题下场为“A Strategy for Architecture Design of Crystalline Perovskite Light‐Emitting Diodes with High Performance”远日宣告于国内顶级期刊Advanced Materials（IF=19.791）上。该论文第一做者为课题组17级专士去世时一斐，吴晨新教授做为仅有通讯做者，西安交通小大教为第一做者单元。减进此项工做的借有剑桥小大教卡文迪许魔难魔难室Guangru Li专士，剑桥小大教质料科教与冶金教系郗凯专士战 Giorgio Divitini专士。

【图文导读】

图1 以FAPbBr₃战MAPbBr₃做为收光层的IPI挨算器件示诡计

(a)基于FAPbBr₃的IPI器件挨算SEM截里图; (b)IPI器件挨算示诡计；(c)基于MAPbBr₃的IPI器件挨算SEM截里图; (d)ITO/LiF/ FAPbBr₃样品的SEM图; (e) IPI器件挨算能级图; (f) ITO/LiF/ MAPbBr₃样品的SEM图；（g）基于FAPbBr₃的IPI器件EL光谱；（h）空气中面明的IPI挨算器件；（i）基于MAPbBr₃的IPI器件EL光谱

图2 传统挨算器件与IPI挨算器件比力  

(a)ITO/PEDOT:PSS/钙钛矿/Bphen/LiF/Al；（b）ITO/PEDOT:PSS/PVK/钙钛矿/Bphen/LiF/Al；(c) ITO/LiF/钙钛矿/LiF/Bphen/LiF/Al (IPI挨算); (d-f)基于FAPbBr₃的三种挨算器件功能比力；(g-i）基于MAPbBr₃的三种挨算器件功能直线比力；(j-n) 基于CsPbBr₃的传统挨算器件战IPI挨算器件战经由反溶剂（氯苯）熏蒸过钙钛矿薄膜的IPI挨算器件功能直线战器件寿命比力；(o)一个延绝面明的基于CsPbBr₃的IPI挨算器件照片。

图3 IPI挨算机了批注

ITO/PEDOT:PSS/钙钛矿/Bphen/LiF/Al挨算泄露电流示诡计；(b)IPI挨算增强辐射复开示诡计；(c-d) ITO/PEDOT:PSS/ FAPbBr₃样品的AFM战c-AFM图；（e-f）ITO/LiF/ FAPbBr₃/LiF样品的AFM战c-AFM图；（c′-f′）对于应于(c-f)图中真线的形貌战电流扩散直线；(g) 器件A中PE 地域存正在较小大注进势垒；(h)器件C中 PE′地域存正在较小空穴注进势垒；(i)器件C中P′地域抑制了泄电流。

图4 IPI挨算样品荧能源教表征

(a)瞬态荧光寿命直线；(b)PL荧光光谱直线。六种样品分说是： Glass/ITO/LiF/FAPbBr₃/LiF/Bphen；

Glass/ITO/LiF/FAPbBr₃；

Glass/ITO/LiF/FAPbBr₃/Bphen；  

Glass/ITO/PEDOT:PSS/PVK/FAPbBr₃；

Glass/ITO/PEDOT:PSS/FAPbBr₃；

Glass/ITO/FAPbBr₃。

文献链接：A Strategy for Architecture Design of Crystalline Perovskite Light‐Emitting Diodes with High Performance (Adv. Mater., 2018, doi: 10.1002/adma.201800251)

【团队介绍】

西安交通小大教吴晨新教授团队尾要钻研新型功能质料的“光-电”与“电-光”物理机制及其器件操做如太阳能电池与收光南北极管等。主页：http://zhaoxinwu.gr.xjtu.edu.cn。该工做患上到国家做作基金委里上课题（编号11574248），科技部国家重面研收专项（编号2016YFB0400702），陕西省做作科教根基钻研用意（编号2016JM6072），教育部专士后里上名目（编号20130201110065），战陕西省国内开做名目（编号2015KW-008）的反对于。

本文由西安交通小大教吴晨新教授团队供稿。

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